发明名称 电容器元件的制造方法
摘要 本发明的电容器元件的制造方法,包括:在阳极体的表面上和嵌设在上述阳极体中的阳极引线构件的突出部分的下部表面上,形成电介质覆膜的工序;在上述电介质覆膜上形成导电性高分子的预涂层的工序;部分去除上述电介质覆膜及预涂层,环状露出部分上述下部表面的工序;部分上述下部表面,以置于溶解单体的溶液的液面上的方式,将上述阳极体浸渍在上述溶液中,采用电解聚合法,在上述预涂层上形成导电性高分子层的工序;去除形成在部分上述下部表面上的导电性高分子的毛刺的工序。根据本发明的方法,能够防止在阳极引线构件上产生毛刺。
申请公布号 CN101504885B 申请公布日期 2010.09.22
申请号 CN200910126219.5 申请日期 2004.07.07
申请人 三洋电机株式会社 发明人 须田裕一;上川秀德;藤井永造
分类号 H01G9/028(2006.01)I;H01G9/008(2006.01)I;H01G9/04(2006.01)I;H01G9/15(2006.01)I 主分类号 H01G9/028(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李香兰
主权项 一种电容器元件的制造方法,包括:在阳极体的表面和嵌设在上述阳极体中的阳极引线构件的突出部分的下部表面上,形成电介质覆膜的工序;在上述电介质覆膜上形成导电性高分子的预涂层的工序;部分去除上述电介质覆膜及预涂层,环状露出部分上述下部表面的工序;上述环状露出的部分上述下部表面,以位于溶解了单体的溶液的液面的方式,将上述阳极体浸渍在上述溶液中,采用电解聚合法,在上述预涂层上形成导电性高分子层的工序;去除形成在上述环状露出的部分上述下部表面上的导电性高分子的毛刺的工序。
地址 日本国大阪府守口市