多区半导体炉

摘要

适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反应室的高度间隔排布的侧壁加热器，以控制室内温度变化和提高晶片膜淀积厚度的一致性。

主权项

一种半导体炉，包括：立式的热反应室，具有一定高度、顶部、底部、连接顶部和底部的侧壁、和用以容纳可移动的一批固定晶片的内部空腔，所述反应室具有中心部分和边缘部分；位于所述反应室内的晶片船，其构造适于容纳呈垂直堆叠关系的多个晶片；和包括多个加热器的加热系统，用以加热反应室，所述加热系统包括：至少一个顶加热器；至少一个底加热器；和多个侧壁加热器，所述侧壁加热器的配置和控制，使得在反应室中心部分和反应室边缘部分测量的温度差在0.1摄氏度以内。