| 发明名称 | 一种硅基有机电致发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。 | ||
| 申请公布号 | CN101840999A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN201010131806.6 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 秦国刚;李延钊;冉广照;徐万劲 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种硅基有机电致发光器件，包括阳极、发光层、阴极，其特征在于：所述阳极是经过辐照的n型硅电极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||