| 发明名称 | 半导体薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种透明氧化物半导体及其制造方法，其由以氧化铟为主成分，添加了氧化铈的氧化物构成，不会因为光造成误操作，进行加热等时薄膜的比电阻不会发生变化。采用的半导体薄膜含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，比电阻为10+1～10+8Ωcm。该半导体薄膜的比电阻变化少，迁移率高。因此用该半导体薄膜构成开关元件，可以获得开关性能得到提高的元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101233257B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200680028095.1 | 申请日期 | 2006.08.07 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种半导体薄膜，其含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，其特征在于，比电阻为10+1～10+8Ωcm。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||