| 发明名称 | 用于SOC应用的高密度沟槽式非易失性随机访问SONOS存储单元的结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有可随机访问存储位置的双晶体管硅－氧化物－氮化物－氧化物－半导体(2－Tr SONOS)非易失性存储单元及其制造方法。在一个实施例中，提供了一种2－Tr SONOS单元，其中选择晶体管位于沟槽结构中，其沟槽深度约为1～2μm，并且存储晶体管位于邻接该沟槽结构的半导体衬底的表面上。在另一实施例中，提供了一种2－Tr SONOS存储单元，其中选择晶体管与存储晶体管二者均位于具有上述深度的沟槽结构中。 | ||
| 申请公布号 | CN101147263A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680009779.7 | 申请日期 | 2006.04.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·曼德尔曼;H·霍;T·宁格;大谷洋一 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种非易失性随机访问存储单元，包括：半导体衬底，包括至少一个含有多个沟槽结构的阵列区域，所述沟槽结构的深度约为1～2μm，每个沟槽结构都包括选择晶体管，所述选择晶体管具有位于所述沟槽结构的垂直侧壁上的沟道，其中选定的沟槽结构由沟槽隔离区域隔开；源极扩散，位于每个沟槽结构的底壁之下；以及存储晶体管，包括位于所述半导体衬底的表面上的氧化物/氮化物/氧化物栅电介质，并且邻接于所述选定的沟槽结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||