| 发明名称 | 含有不闪烁荧光量子点的器件 | ||
| 摘要 | 一种光电子器件，其包括：两个间隔开的电极；及至少一个含三元核/壳纳米晶体的层，这些纳米晶体布置于这些间隔电极之间且具有含合金组合物梯度的三元半导体核，且其中这些三元核/壳纳米晶体展示特征为工作时间(on time)在1分钟以上或辐射寿命在10纳秒以下的单一分子不闪烁荧光特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101842460A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200880113778.6 | 申请日期 | 2008.08.12 |
| 申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | K·B·卡亨;任小凡 |
| 分类号 | C09K11/02(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种光电子器件，其包含：(a)两个间隔开的电极；以及(b)至少一个含三元核/壳纳米晶体的层，布置于上述间隔电极之间且具有含合金组合物梯度的三元半导体核，以及其中这些三元核/壳纳米晶体展示特征为工作时间在1分钟以上或辐射寿命在10纳秒以下的单一分子不闪烁荧光特性。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||