发明名称 |
半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置的制造方法,其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性,抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差,并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法,上述制造方法按顺序包括如下工序:在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜,使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜,由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序;形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序;隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序;将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序;以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且,本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。 |
申请公布号 |
CN101842871A |
申请公布日期 |
2010.09.22 |
申请号 |
CN200880113589.9 |
申请日期 |
2008.10.14 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
竹井美智子;高藤裕;福岛康守;富安一秀;史蒂芬·罗伊·德鲁斯 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市隆安律师事务所 11323 |
代理人 |
权鲜枝 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法,其特征在于:该制造方法按顺序包括如下工序:第一绝缘图案膜形成工序,在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜,使该第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜,由此形成第一绝缘图案膜;平坦化膜形成工序,形成第二绝缘膜,对该第二绝缘膜进行研磨来形成平坦化膜;剥离层形成工序,隔着该平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质形成剥离层;贴合工序,使该半导体基板与该表面具有绝缘性的基板隔着平坦化膜贴合;以及分离工序,从剥离层分离该半导体基板。 |
地址 |
日本大阪府 |