发明名称 |
薄膜转换率的检测装置 |
摘要 |
本发明涉及一种非晶硅薄膜检测装置,尤其涉及一种薄膜转换率的检测装置。薄膜转换率的检测装置,由下述结构构成:光伏板,在光伏板的一侧设有光源,光伏板的另一侧设有导电体,光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域,测试区域外周为无硅层,无硅层通过导线与信号发生器的正极连接,导电体的一端与测试区域接触,导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接,信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置,信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。本发明的优点效果:通过本发明可以准确地分析光伏板产品的转化率是否与硅层有关系,判断在硅层沉积的过程中是否均匀,组件功率低是否与硅层有关系。 |
申请公布号 |
CN101833069A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN201010171730.X |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
沈阳汉锋新能源技术有限公司 |
发明人 |
李健 |
分类号 |
G01R31/36(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/36(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳圣群专利事务所 21221 |
代理人 |
王宪忠 |
主权项 |
薄膜转换率的检测装置,其特征在于由下述结构构成:光伏板,在光伏板的一侧设有光源,光伏板的另一侧设有导电体,光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域,测试区域外周为无硅层,无硅层通过导线与信号发生器的正极连接,导电体的一端与测试区域接触,导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接,信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置,信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。 |
地址 |
110114 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈西三东路4号 |