| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，应用于形成浅沟槽隔离区后的栅极刻蚀工序中，所述栅极刻蚀的主刻蚀时间包括干涉测量终点IEP检测时间和过刻蚀补偿过程时间，该方法包括：确定沟槽深度与过刻蚀补偿过程时间的对应关系，在半导体器件具有所述沟槽深度时，根据所述对应的过刻蚀补偿过程时间，在主刻蚀过程中对栅极进行过刻蚀补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN101834128A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200910140304.7 | 申请日期 | 2009.07.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵林林;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，应用于形成浅沟槽隔离区后的栅极刻蚀工序中，所述栅极刻蚀的主刻蚀时间包括干涉测量终点IEP检测时间和过刻蚀补偿过程时间，其特征在于，该方法包括：确定沟槽深度与过刻蚀补偿过程时间的对应关系，在半导体器件具有所述沟槽深度时，根据所述对应的过刻蚀补偿过程时间，在主刻蚀过程中对栅极进行过刻蚀补偿。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||