发明名称 |
降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件 |
摘要 |
一种降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件,包括:P型衬底,在P型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有P型外延层,在P型外延层上设有N型阱和P阱区,在N型阱上设有N型缓冲阱,在N型缓冲阱上设有P型阳区,在P阱区上设有N型阴区和P型体接触区,而场氧化层,金属层,栅氧化层,多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面,其特征在于在P阱区的下部、埋氧之上设有P型埋层,且插入P型外延层一部分,与P阱区整体构成反向的“L”型P区,这种结构可以将器件的空穴电流引向底部,降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场,同时降低了热电子的温度,从而有效抑制了器件的热载流子效应。 |
申请公布号 |
CN101834202A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN201010146509.9 |
申请日期 |
2010.04.13 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
钱钦松;孙虎;孙伟锋;庄华龙;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
黄雪兰 |
主权项 |
一种降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件,包括:P型衬底(1),在P型衬底(1)上设有埋氧(2),在埋氧(2)上设有P型外延层(3),P型外延层(3)左边设有N型阱(4),右边设有P阱区(13),N型阱(4)和P阱区(13)之间仍有P型外延层(3)隔离。在N型阱(4)上设有N型缓冲阱(5),在N型缓冲阱(5)上设有P型阳区(6),在P阱区(13)上设有N型阴区(12)和P型体接触区(11),在P型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)且栅氧化层(10)自N型阴区(12)开始延伸至N型阱(4)。在P型阳区(6)、P型体接触区(11)、N型阴区(12)和栅氧化层(10)以外的硅表面区域设有场氧化层(8),在栅氧化层(10)的上表面设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)延伸至其左边N型阱(4)上的场氧化层(8)的表面,在P型阳区(6)、场氧化层(8)、多晶硅栅(9)、P型体接触区(11)、N型阴区(12)的表面设有氧化层(15),在P型阳区(6)、P型体接触区(11)、N型阴区(12)和多晶硅栅(9)上分别连接有金属层(7),其中P型体接触区(11)、N型阴区(12)上连接的为同一金属层(7),其特征在于在P阱区(13)的下部、埋氧(2)之上设有P型埋层(14),插入P型外延层(3)一部分,与P阱区(13)整体构成反向的“L”型P区。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 |