| 发明名称 | 制作应变硅晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作应变硅晶体管的方法。首先提供一半导体衬底，该半导体衬底上包括有一栅极、至少一间隙壁以及一源极/漏极区域。然后进行一第一快速升温退火工艺，接着移除该间隙壁，并形成一高张力薄膜(high tensilestress film)于该栅极与该源极/漏极区域表面，随后进行一第二快速升温退火工艺，接着移除该高张力薄膜的步骤，以于该栅极与该源极/漏极区域表面移除该高张力薄膜，以及通过自对准金属硅化物工艺，于栅极与源极/漏极区域表面形成硅化金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1979786B | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200510126986.8 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄正同;梁佳文;郑子铭;沈泽民;盛义忠 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底上包括有一栅极、至少一间隙壁以及一源极/漏极区域；移除该间隙壁，并进行一第一快速升温退火工艺来活化该源极/漏极区域内的掺杂剂；形成一高张力薄膜于该栅极与该源极/漏极区域表面；进行一第二快速升温退火工艺拉大该栅极下的该半导体衬底的晶格排列；移除该高张力薄膜的步骤，以于该栅极与该源极/漏极区域表面移除该高张力薄膜；以及通过自对准金属硅化物工艺，于栅极与源极/漏极区域表面形成硅化金属。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||