| 主权项 |
一种发光元件，以具有发光层部之化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，系在该化合物半导体层的第二主表面侧，透过具有反射面之主金属层结合元件基板而构成；该反射面系使来自该发光层部之光往该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板，系以导电型为p型之Si基板所构成；且在紧邻该元件基板之主金属层侧之主表面上，形成以Al为主成分之接触层。如申请专利范围第1项之发光元件，其中，该发光层部之p型化合物半导体层位在光取出面侧，而发光层部之n型化合物半导体层位在主金属层侧，且该n型化合物半导体层系透过该主金属层而与p型之Si基板结合。如申请专利范围第2项之发光元件，其中，该发光层部系具备双异质构造，该构造系由p型包覆层(p型化合物半导体层)、n型包覆层(n型化合物半导体层)、以及在p型包覆层与n型包覆层间形成之活性层所构成。如申请专利范围第1项之发光元件，其中，在该接触层与主金属层间插入导电性材料构成之扩散阻止层，俾阻止该接触层之Al成分朝主金属层扩散。如申请专利范围第4项之发光元件，其中，该主金属层之至少包含扩散阻止层界面的部分，系以Au为主成分构成之Au系层；该扩散阻止层，系以Ti及Ni中任一者为主成分之扩散阻止用金属层。如申请专利范围第5项之发光元件，其中，该Au系层系形成该反射面。如申请专利范围第5项之发光元件，其中，在该Au系层与化合物半导体层间插入以Ag为主成分之Ag系层，俾形成该反射面。如申请专利范围第5项之发光元件，其中，该Au系层具有结合层。一种发光元件之制造方法，系用来制造申请专利范围第8项之发光元件，其特征在于具备以下步骤：以与该化合物半导体层之取出面相反侧之主表面作为贴合侧主表面，在该贴合侧主表面上，配置以Au为主成分、且待变成该结合层之第一Au系层；以该元件基板之预定位于该发光层部侧之主表面作为贴合侧主表面，在该贴合侧主表面上，配置以Au为主成分、且待变成该结合层之第二Au系层；使该第一Au系层与该第二Au系层密接贴合。如申请专利范围第9项之发光元件之制造方法，其系使该元件基板与化合物半导体层透过Au系层而相叠合，而在该状态下进行贴合热处理，藉此使该元件基板与化合物半导体层贴合。 |
