| 主权项 |
一种形成一闸极电极之侧壁间距物之方法，其至少包含：将具有一闸极结构之基板置于一电浆制程反应室中；将制程气体(群)通入该电浆制程反应室中；在该电浆制程反应室中产生一电浆；以及在等于或低于450℃之温度于该电浆之存在下，在该闸极结构上沉积一或多层含矽材料，其中该一或多层含矽材料之总介电常数值为约3.0至约5.0并且包含选自碳化矽、掺杂氧之碳化矽、掺杂氮之碳化矽、掺杂碳之氮化矽、掺杂氮之碳氧化矽、及其组合物之材料。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之侧壁间距物系经形成为单一层。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之侧壁间距物包含碳化矽。如申请专利范围第3项所述之方法，其中上述之碳化矽之介电常数系藉由改变沉积期间电浆制程室之混合频率功率之比例来改变。如申请专利范围第3项所述之方法，其中上述之碳化矽之介电常数系藉由改变用来沉积碳化矽之气体混合物来改变。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之含矽材料包含掺杂氧之碳化矽。如申请专利范围第6项所述之方法，其中上述之掺杂氧之碳化矽之介电常数系藉由改变应用至电浆制程室之混合频率功率之比例来改变。如申请专利范围第6项所述之方法，其中上述之掺杂氧之碳化矽之介电常数系藉由改变该等制程气体或制程气体流速来改变。如申请专利范围第6项所述之方法，其中上述掺杂氧之碳化矽的介电常数系藉由改变沉积温度来改变。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之含矽材料包含掺杂氮之碳化矽。如申请专利范围第10项所述之方法，其中上述掺杂氮之碳化矽的介电常数系藉由增加射频功率来增加。如申请专利范围第11项所述之方法，其中上述掺杂氮之碳化矽的介电常数系藉由调整沉积期间使用之氮来源及/或该沉积气体混合物中之氮来源之浓度来改变。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之含矽材料包含掺杂氮之碳化矽，并且该掺杂氮之碳化矽系藉由电浆氮化碳化矽形成。如申请专利范围第13项所述之方法，其中上述之电浆氮化系在介于约100℃至约450℃之温度下执行。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之含矽材料包含掺杂碳之氮化矽。如申请专利范围第15项所述之方法，其中上述掺杂碳之氮化矽的碳含量低于约30原子百分比。如申请专利范围第15项所述之方法，其中上述掺杂碳之氮化矽的介电常数系藉由调整反应压力、沉积期间使用之氮来源和该沉积气体混合物中之该等气体之浓度来改变。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之含矽材料包含掺杂碳之氮氧化矽。如申请专利范围第18项所述之方法，其中上述掺杂碳之氮氧化矽的介电常数系藉由调整沉积温度或藉由调整用来形成该掺杂碳之氮氧化矽之反应剂来改变。 |
