| 发明名称 | 栅极及MOS晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极及MOS晶体管的制作方法。其中栅极的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成栅介电层、多晶硅层和腐蚀阻挡层；采用T型掩膜方法刻蚀腐蚀阻挡层至露出多晶硅层，形成倒梯形栅极图形；以腐蚀阻挡层为掩膜，沿倒梯形栅极图形刻蚀多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极。本发明减小了栅极临界尺寸的误差，提高栅极的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101826457A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200910046892.8 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄怡;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种栅极的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成栅介电层、多晶硅层和腐蚀阻挡层；采用T型掩膜方法刻蚀腐蚀阻挡层，露出多晶硅层，形成倒梯形栅极图形；以腐蚀阻挡层为掩膜，沿倒梯形栅极图形刻蚀多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||