发明名称 |
一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法,硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作,所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单,沉积时工件不需加热,所用材料及工艺对环境没有污染,硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能,性能十分稳定。 |
申请公布号 |
CN101824593A |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN201010182394.9 |
申请日期 |
2010.05.25 |
申请人 |
杭州电子科技大学 |
发明人 |
季振国;席俊华;毛启楠;柯伟青 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
周烽 |
主权项 |
一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)以硅材料作为靶材,硅靶放置在脉冲激光沉积设备的沉积室中,激光束经聚焦后透过窗口照射在硅靶表面。(2)清洗待镀膜工件表面,除去工件表面的沾污,然后烘干。(3)将工件放入激光脉冲沉积设备的沉积室中,与硅靶的距离为3-15厘米。抽真空至真空室内压强小于0.01Pa。(4)开启高能脉冲激光器,利用激光脉冲使硅靶表面局部瞬间蒸发,在待镀膜工件表面沉积一层硅薄膜。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街 |