| 发明名称 | 一种Cu<sub>2</sub>Si<sub>x</sub>Sn<sub>1-x</sub>S<sub>3</sub>光伏薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。其中，合金靶的组分为原子比Cu∶Si∶Sn＝1∶(0.1～2)∶(0.1～2)，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，阴极靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～1000转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。本发明所述的制备方法制备的薄膜大面积成分均匀性好、结晶质量高、二次相含量低，且具有优越的光学、电学性质。同时该法还具有工艺简单、成本低廉和重现性好等传统热活化技术无法具备的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN101824601A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN201010164446.X | 申请日期 | 2010.05.06 |
| 申请人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 发明人 | 刘萍 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 | ||