| 发明名称 | 一种制作黑硅材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到90％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101824654A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200910078865.9 | 申请日期 | 2009.03.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 朱洪亮;梁松;韩培德;林学春;王宝华 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01)I;C30B31/20(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||