| 发明名称 | 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的激光扫描辐照硅片表面，形成具有硅微锥、硅微粒和硅微洞的黑硅材料。利用本发明，所使用的激光脉冲宽度为纳秒或微秒或毫秒甚至连续直流模式，波长为1064nm。用这类宽脉冲激光器光源扫描置于硫系物质环境下的硅晶片，可以制作出对全太阳光谱有强吸收作用的硅微锥、微粒和微孔的黑硅微结构材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101824653A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200910078864.4 | 申请日期 | 2009.03.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 梁松;朱洪亮;林学春;韩培德;王宝华 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01)I;C30B31/20(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的激光扫描辐照硅片表面，形成具有硅微锥、硅微粒和硅微洞的黑硅材料。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||