一种非本征F-P光纤传感器的制作方法

摘要

本发明公开了一种非本征光纤传感器的制作方法，属于光纤传感器技术领域，涉及一种光纤传感器件的制作技术。其特征是将通过刻划方法形成缺陷的裸光纤插入毛细管中，通过CO2激光热熔或胶粘方式将位于裸光纤末端的毛细管端点与裸光纤固定在一起；当光纤另一端施加的拉应力达到断裂阈值时，裸光纤从刻痕缺陷处裂开，形成与光纤轴线垂直的平整解理面；调节干涉腔长度，采用同样的方式将毛细管的另外一端与裸光纤固定在一起，最终制作出非本征F-P光纤传感器。本发明的有益效果是，能够得到光纤端面良好、干涉腔没有任何杂质的非本征F-P光纤传感器，降低了对毛细管和光纤苛刻的清洗要求，提高信号干涉对比度和制作成功率。

主权项

一种非本征F-P光纤传感器的制作方法，其特征在于：在裸光纤(3)的表面通过刻划的方法形成与裸光纤(3)轴线正交的刻痕缺陷(1)，并将带有刻痕缺陷(1)的裸光纤(3)插入毛细管(2)中，调节刻痕缺陷(1)在毛细管(2)中的位置；通过CO2激光热熔或者胶粘的方式将位于裸光纤(3)末端一侧的毛细管(2)端点与裸光纤(3)固定在一起，对光纤的另外一端施加拉力，在刻痕缺陷(1)处产生应力集中，当施加的拉应力大于刻痕缺陷(1)处的断裂阈值时，裸光纤(3)从刻痕缺陷(1)处裂开，形成与光纤轴线垂直的平整解理面(5)，两个平行解理面(5)与二者之间的空气隙则构成了一个非本征F-P干涉腔(6)；调节非本征F-P干涉腔(6)的长度，通过CO2激光热熔或者胶粘的方式将毛细管(2)的另外一端与裸光纤(3)固定在一起，制作出非本征F-P光纤传感器。