半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种布线电阻低的半导体装置、透射率高的半导体装置或开口率高的半导体装置。使用具有透光性的材料形成栅电极、半导体层、源电极或漏电极，并使用电阻率低于具有透光性的材料的电阻率的材料形成栅极布线或源极布线等布线。另外，通过层叠具有透光性的材料和比该具有透光性的材料的电阻率低的材料来形成源极布线和/或栅极布线。

主权项

一种半导体装置，包括：包括具有透光性的第一导电层的第一电极；与所述第一电极电连接并包括所述第一导电层和第二导电层的层叠结构的第一布线，其中所述第二导电层的电阻低于所述第一导电层的电阻；形成在所述第一电极和所述第一布线上的绝缘层；形成在所述绝缘层上并包括具有透光性的第三导电层的第二电极；与所述第二电极电连接并包括所述第三导电层和第四导电层的层叠结构的第二布线，其中所述第四导电层的电阻低于所述第三导电层的电阻；包括具有透光性的第五导电层形成的第三电极；以及形成在所述第二电极和所述第三电极上并与所述第一电极以夹着所述绝缘层的方式重叠的半导体层。