数据写入方法

摘要

本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器MRAM阵列中的MRAM存储单元的3-参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变MRAM阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。不论是透过增加原写入边界或是增加原干扰边界，本发明所揭露的3-参数切换技术皆可成功的降低意外写入未选取位的机率。本发明所述的数据写入方法，所揭露的3-参数转换技术可改善传统MRAM阵列所产生的总干扰。

主权项

一种数据写入方法，其特征在于，适用于将一数据写入一磁性存储单元阵列，上述磁性存储单元阵列包括一第一存储单元、一第二存储单元、一第三存储单元以及一第四存储单元，其中上述第一存储单元与上述第二存储单元在同一行上，上述第一存储单元与上述第三存储单元在同一列上，上述第二存储单元与第四存储单元在同一列上以及上述第三存储单元与上述第四存储单元在同一行上，其中上述第一、第二、第三以及第四存储单元包括由一自由铁磁层、一固定铁磁层以及设置于上述两者之间的一绝缘穿隧障壁所形成的一堆叠，包括：提供一第一电流至而并非流经所选取的上述第一以及第三存储单元，以提供一第一磁场至所选取的上述第一以及第三存储单元；于提供上述第一磁场期间提供一第二电流至而并非流经所选取的上述第一以及第二存储单元，以提供正交于上述第一磁场的一第二磁场至所选取的上述第一以及第二存储单元；以及于提供上述第一磁场和上述第二磁场期间提供一第三电流至而并非流经所选取的上述第一以及第四存储单元，以提供一第三磁场至所选取的上述第一以及第四存储单元；以及通过提供上述第一磁场、第二磁场与第三磁场的结合而改变所选取的上述存储单元的磁矩，上述第一磁场、第二磁场与第三磁场的结合超过所选取的上述存储单元的一临界磁场。