逆流防止电路以及电源切换装置

摘要

本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。

主权项

一种逆流防止电路，其是连接在电压输入端子和输出端子之间，控制所述电压输入端子和输出端子之间的导通状态的N沟道型的开关MOS晶体管的逆流防止电路，其特征在于，具备：第一MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及第二MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使所述开关MOS晶体管为导通状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使所述开关MOS晶体管为截止状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加接地电位。