| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben, bei dem eine Vielzahl von wenigstens auf ihren Vorderseiten polierten Siliciumscheiben bereitgestellt und nacheinander jeweils einzeln in einem Epitaxiereaktor beschichtet werden, indem jeweils eine der bereitgestellten Siliciumscheiben auf einem Suszeptor im Epitaxiereaktor abgelegt, in einem ersten Schritt nur unter Wasserstoffatmosphäre bei einem Wasserstofffluss von 1-100 slm sowie in einem zweiten Schritt unter Zugabe eines Ätzmediums zur Wasserstoffatmosphäre bei einem Wasserstofffluss von 1-100 slm, bei einem Fluss des Ätzmediums von 0,5-1,5 slm und bei einer mittleren Temperatur von 950-1050°C vorbehandelt und anschließend auf ihrer polierten Vorderseite epitaktisch beschichtet und aus dem Epitaxiereaktor entfernt wird, wobei beim zweiten Schritt der Vorbehandlung die Leistung von über und unter dem Suszeptor angeordneten Heizelementen derart geregelt wird, dass zwischen einem radialsymmetrischen, die zentrale Achse umfassenden Bereich der zu epitaxierenden Siliciumscheibe und einem außerhalb dieses Bereichs liegenden Teil der Siliciumscheibe ein Temperaturunterschied von 5-30°C besteht.
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