| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，在整流装置等电力半导体装置中兼具对大功率化·无铅化的对应性和较高的热疲劳寿命性能。本发明的半导体装置中，半导体芯片、隔着所述半导体芯片相对的基电极及引线电极、以及将它们电接合的接合层叠层，所述半导体芯片、所述接合层、所述基电极的一部分以及所述引线电极的一部分被密封树脂密封，其特征在于，所述密封树脂的线膨胀系数在距离所述基电极的线膨胀系数-2ppm/℃以上+2.5ppm/℃以下的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101819952A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN201010121520.X | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社 | 发明人 | 石川耕一;恩田智弘;水野惠 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体装置，半导体芯片、隔着所述半导体芯片相对的基电极及引线电极、以及将它们电接合的接合层叠层，所述半导体芯片、所述接合层、所述基电极的一部分、以及所述引线电极的一部分被密封树脂密封，其特征在于，所述密封树脂的线膨胀系数，在距离所述基电极的线膨胀系数-2ppm/℃以上+2.5ppm/℃以下的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||