发明名称 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法,特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法,包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料,形成原始混合粉末;混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉;(2)添加溶剂搅拌,形成浆料;(3)将该浆料涂布在钼层上,软烤形成光吸收前驱层;(4)将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上,在快速退火热处理炉中退火长晶,形成光吸收层。避免使用危险的硒化氢;设备成本低;所形成的光吸收层致密,光吸收特性好,光电转换效率高。 | ||
申请公布号 | CN101820030A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
申请号 | CN201010111495.7 | 申请日期 | 2010.02.11 |
申请人 | 昆山正富机械工业有限公司 | 发明人 | 林群福;陈文仁;杨益郎 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法,其特征在于包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料,以形成原始混合粉末,且该IB族元素包括铜,该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料;(2)添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌,形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒浆料;(3)将该浆料涂布在钼层上,软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层;(4)再将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上,一起在快速退火热处理炉中退火长晶,以形成含铜铟镓硒和/或硫的光吸收层。 | ||
地址 | 215332 江苏省昆山市花桥镇逢星路555号 |