发明名称 |
等离子处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括:等离子体生成箱,其为纵长形状,与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域;ICP电极,其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧;高频电源,其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。 |
申请公布号 |
CN101819918A |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN201010102641.X |
申请日期 |
2010.01.22 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
福岛讲平;高桥俊树;松浦广行;本山丰;山本和弥 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种等离子处理装置,其是立式的,其同时对多张被处理体实施等离子处理,其中,该立式等离子处理装置包括:处理容器,其为纵长形状,具有用于收纳上述被处理体的处理区域,且能设定为气密状态;保持器具,其以使上述被处理体相互隔开间隔地沿垂直方向层叠的状态将该被处理体保持在上述处理容器内;气体供给系统,其用于向上述处理容器内供给处理气体;排气系统,其用于对上述处理容器内进行排气;以及活化机构,其用于使上述处理气体等离子化;上述活化机构包括:等离子体生成箱,其为纵长形状,与上述处理区域相对应地安装在上述处理容器上、且用于封闭与上述处理区域气密地连通的等离子体产生区域;ICP电极,其沿上述等离子体生成箱的长度方向配置在上述等离子体生成箱的外侧,且上述ICP电极具有自上述等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分;以及高频电源,其与上述ICP电极相连接。 |
地址 |
日本东京都 |