| 发明名称 | 用于衬底通孔的阻挡结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于衬底通孔的阻挡结构和方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一衬底，第一衬底包括设置在隔离区域内的有源器件区域。衬底通孔设置为与有源器件区域相邻并且在第一衬底内。在衬底通孔的至少一部分周围设置缓冲层，其中，缓冲层被设置在隔离区域和衬底通孔之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101814475A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN201010107369.4 | 申请日期 | 2010.01.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘明达;许昭顺;曾雅雯;邱文智;吴文进 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：有源器件区域，设置在第一衬底的隔离区域中；衬底通孔，设置在所述第一衬底内，所述衬底通孔被设置为与所述有源器件区域相邻；以及缓冲层，设置在所述衬底通孔的至少一部分周围，其中，所述缓冲层设置在所述隔离区域与所述衬底通孔之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||