发明名称 |
一种非极性ZnO晶体薄膜的生长方法 |
摘要 |
本发明的非极性ZnO晶体薄膜的生长方法,采用的是脉冲激光沉积,首先称量ZnO、MnO2、Na2CO3粉末,经球磨、压制、烧结,制得Mn-Na共掺的陶瓷靶;然后用脉冲激光沉积法在衬底上生长非极性ZnO晶体薄膜。本发明方法工艺成熟,操作简单,成本低廉,易于实现;生长的薄膜具有a轴择优取向;同时具有室温铁磁性,是一种稀磁半导体材料。可用于LED和磁存储器件中。 |
申请公布号 |
CN101481817B |
申请公布日期 |
2010.08.25 |
申请号 |
CN200810164207.7 |
申请日期 |
2008.12.31 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
叶志镇;张利强;吕建国;何海平;朱丽萍;张银珠 |
分类号 |
C30B23/00(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B23/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
非极性ZnO晶体薄膜的生长方法,包括以下步骤:1)称量ZnO、MnO2、Na2CO3粉末,其中Mn的摩尔百分含量为3-8%,Na的摩尔百分含量为0.2-1%,将上述粉末球磨混合均匀、压制成型,然后在1000~1300℃温度下烧结,制得Mn-Na共掺的陶瓷靶;2)将步骤1)制得的靶材和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中,保持靶材与衬底之间的距离为4~6cm,生长室本底真空度抽至小于10-3Pa,衬底加热升温到350-400℃,生长室通入O2气体,控制压强为45-100Pa,开启激光器,频率为5Hz,让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材,沉积在衬底上,得到Mn-Na共掺的非极性ZnO薄膜,将薄膜在50Pa氧气气氛下冷却至室温。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市浙大路38号 |