半导体器件制造过程中控制多晶硅薄层电阻的方法

摘要

半导体器件制造过程中一种用于控制多晶硅薄层电阻的方法。在本发明的一个示例性实施例中，半导体器件制造过程中用于控制多晶硅薄层电阻的方法包括多个步骤。首先，检测在将要形成于半导体晶片上的单元的版图内N-离子注入区和电阻区是否彼此重叠。接下来，如果发现这样的重叠，则在版图上N-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区。然后，检测在版图内P-离子注入区和电阻区是否彼此重叠。最后，如果发现这样的重叠，在版图上P-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区。

主权项

在半导体器件的制造过程中一种用于控制多晶硅的薄层电阻的方法，所述方法包括：检测在将要形成于半导体晶片上的单元版图内N-离子注入区和电阻区是否彼此重叠；如果发现这样的重叠，则在所述版图上所述N-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区；检测在所述版图内P-离子注入区和电阻区是否彼此重叠；以及如果发现这样的重叠，则在所述版图上所述P-离子注入区存在的区域中产生LDD虚拟区。