发明名称 | 一种在线检测硅纳米晶形态的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法,包括:准备若干片硅片作为衬底,在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层;用稀释氢氟酸处理衬底表面,再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶;利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面,由于表面材料和形貌的不同,反射光强必然会发生变化,记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率,建立生长时间与反射率之间的关系式;将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析,确定不同生长时间纳米晶的形态,建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式;将纳米晶不同形态与反射率对应起来,建立相应的关系式,从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明,实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。 | ||
申请公布号 | CN101813624A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
申请号 | CN200910078556.1 | 申请日期 | 2009.02.25 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;王永;王琴;杨潇楠 |
分类号 | G01N21/55(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种在线检测硅纳米晶形态的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:准备若干片硅片作为衬底,在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层;步骤2:用稀释氢氟酸处理衬底表面,再用LPCVD的方法在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶;步骤3:利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面,由于表面材料和形貌的不同,反射光强必然会发生变化,记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率,建立生长时间与反射率之间的关系式;步骤4:将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析,确定不同生长时间纳米晶的形态,建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式;步骤5:将纳米晶不同形态与反射率对应起来,建立相应的关系式,从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |