数据擦除方法以及非易失性半导体存储器件的制造方法

摘要

本发明提供一种数据擦除方法和非易失性半导体存储器件的制造方法，能够提高生产效率而不会使干扰特性劣化。首先，准备形成了多个存储单元(1)的晶片，该存储单元(1)具有形成在半导体衬底(11)上的栅电极(15)，在栅电极(15)的两侧分别形成的电荷蓄积部(18)，分别形成在半导体衬底(11)的上部、且形成在电荷蓄积部(18)之下的低浓度扩散区域(16)，和在夹着栅电极(15)之下的区域和低浓度扩散区域(16)的一对区域分别形成的高浓度扩散区域(17)。在将形成于晶片的所有存储单元(1)所具有的电荷蓄积部(18)保持的数据电擦除(电擦除(2))后，将晶片在高温下放置规定时间(烘烤擦除(3))。

主权项

一种数据擦除方法，其特征在于，包括：准备形成了多个存储单元的晶片的工序，该存储单元具有：形成在半导体衬底上的栅电极，在上述栅电极的两侧分别形成的电荷蓄积部，分别形成在上述半导体衬底的上部、且形成在上述电荷蓄积部之下的低浓度区域，以及在夹着上述栅电极之下的区域和上述低浓度区域的一对区域分别形成的高浓度区域；电擦除上述电荷蓄积部所保持的数据的工序；和将上述晶片在烘烤温度x下放置规定的烘烤时间y的工序，其中，在烘烤温度x和烘烤时间y满足以下公式，且烘烤温度x为350℃以上的条件下，放置上述晶片，y≥6E-12e1.29/kxk：波尔兹曼系数。