| 发明名称 | 绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上半导体(SOI)装置包含有钙钛矿晶格的介电质材料(52)层，例如稀土钪酸盐。该介电质材料(52)通过选定以便具有有效晶格常数，藉此能直接成长具有金刚石晶格的半导体材料(54)于该介电质(52)上。该稀土钪酸盐介电质的实施例包含：钪酸钆(GdScO3)、钪酸镝(DyScO3)、以及钪酸钆与镝的合金钪酸(Gd1-xDyxScO3)。 | ||
| 申请公布号 | CN1998088B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200580018330.2 | 申请日期 | 2005.03.28 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 相奇 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种绝缘体上半导体(SOI)装置，包含：包含具有钙钛矿晶格的介电质层(52)的衬底；形成于该介电质层(52)上的半导体材料(54)层；以及MOSFET，其沟道区内包含该半导体材料层，其特征在于，具有该钙钛矿晶格的该介电质层(52)为稀土钪酸盐，该稀土钪酸盐包含钪酸钆(GdScO3)、钪酸镝(DyScO3)、以及钆与镝的合金钪酸盐(Gd1-xDyxScO3)中的之一。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||