发明名称 具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法
摘要 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成:将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式,按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形,对照这二者的输出波形的状态,由此,检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此,能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。
申请公布号 CN101807406A 申请公布日期 2010.08.18
申请号 CN201010004484.9 申请日期 2010.01.21
申请人 TDK株式会社 发明人 町田贵彦;野口洁;宫内大助
分类号 G11B5/455(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I 主分类号 G11B5/455(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李浩;王忠忠
主权项 一种磁阻效应元件的检查方法,该磁阻效应元件具有磁阻效应部,所述磁阻效应部具有非磁性中间层、以夹持该非磁性中间层的方式层叠形成并且发挥自由层功能的第一强磁性层以及发挥自由层功能的第二强磁性层,并且,该磁阻效应元件是在该磁阻效应部的层叠方向上施加检测电流而成的CPP结构,在所述磁阻效应部的后部,形成有对第一强磁性层以及第二强磁性层的磁化方向的实质性正交作用施加影响的正交偏置功能部,该检查方法的特征在于,使所述正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件的前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式,按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形,并对照这二者的输出波形的状态,由此,检查发挥自由层功能的第一强磁性层以及第二强磁性层的磁化方向是否在所述正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。
地址 日本东京