| 发明名称 | 3D半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种3D半导体结构及其制造方法。3D半导体结构至少包括一第一存储单元和叠层于第一存储单元上方的一第二存储单元。第一存储单元包括一第一导线和一第二导线。第二存储单元包括第二导线和与第一存储单元的第一导线相对的另一第一导线，且第二导线是形成于第一、第二存储单元的两条第一导线之间。当3D半导体结构进行编程和擦除动作时，第一、第二存储单元共享同一条第二导线。其中，第一、第二存储单元各具有一二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN101807595A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910254105.9 | 申请日期 | 2009.12.07 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭明昌 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种3D(three-dimensional)半导体结构，其特征在于，至少包括：一第一存储单元，包括：一第一导线；和一第二导线；以及一第二存储单元，叠层于该第一存储单元上方，该第二存储单元包括：另一第一导线，是相对于该第一存储单元的该第一导线；和该第二导线，是形成于该第一、第二存储单元的两条第一导线之间，当该3D半导体结构进行编程和擦除动作时，该第一、第二存储单元共享该第二导线；其中，该第一、第二存储单元各具有一二极管(diode)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||