等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质

摘要

本发明提供等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质，该等离子体蚀刻方法在使光致抗蚀图案小径化同时进行蚀刻时，能够以高速率进行小径化，使此时的光致抗蚀膜的表面状态良好，能够修复裂缝。将具有蚀刻对象膜和形成有作为蚀刻图案的开口的光致抗蚀膜的晶片(W)配置在腔室(10)内的基座(16)上，在腔室(10)内导入包括CF4气体、CH2F2气体、C5F8气体的处理气体，在上部电极(34)上施加高频电力，生成等离子体，同时在上部电极(34)上施加直流电压，利用生成的等离子体，使形成在光致抗蚀膜上的开口小径化，并且通过形成在光致抗蚀膜上的开口对蚀刻对象膜进行蚀刻。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其以光致抗蚀膜作为掩模对蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，包括：在上下相对地设置有第一电极和第二电极的处理容器内，配置具有蚀刻对象膜和形成有开口的光致抗蚀膜的被处理体的工序；向处理容器内导入包括CF4气体和CH2F2气体以及CxFy气体的处理气体的工序，其中，x/y≥0.5；和在所述第一电极和第二电极中的至少一个上施加高频电力生成所述处理气体的等离子体的工序，利用所述等离子体使形成在所述光致抗蚀膜上的所述开口小径化并修复所述光致抗蚀膜的表面的裂缝，并且通过所述开口对蚀刻对象膜进行蚀刻。