| 发明名称 | 相变存储器结构 | ||
| 摘要 | 相变存储器单元(1311)具有第一电极、加热器(1505)、相变材料、以及第二电极。加热器(1505)在第一电极之上，并且加热器包括柱。相变材料(1701)在加热器周围。第二电极被电耦合到相变材料。在某些实施例中，一种方法包括在衬底上形成电极层，沉积第一层，在第一层只傻姑娘提供纳米簇(1411)，并蚀刻第一层。第一层包括由加热器材料和相变材料组成的组之一。可以使用纳米簇(1411)限定图案来蚀刻第一层以便从第一层形成柱。 | ||
| 申请公布号 | CN101809669A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200880109055.9 | 申请日期 | 2008.08.08 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | R·穆拉利德哈;T·P·麦钱特;R·A·劳 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种相变存储器单元，包括：第一电极；位于第一电极之上的加热器，其中，所述加热器包括柱；在所述柱周围的相变材料；以及位于所述加热器和所述相变材料之上的第二电极，所述第一电极至少经由所述相变材料电耦合到所述第二电极。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||