发明名称 |
使用沟槽栅低压和LDMOS高压MOSFET的单管芯输出功率级、结构和方法 |
摘要 |
电压转换器包括形成在单个管芯(“功率管芯”)上的具有高压器件和的压器件的输出电路。高压器件包括横向扩散金属氧化半导体(LDMOS),低压器件包括槽栅垂直扩散金属氧化半导体(VDMOS)。电压转换器还包括在不同管芯上的控制电路,其可以电耦合到输出电路且和输出电路一起封装。 |
申请公布号 |
CN101807543A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200911000194.0 |
申请日期 |
2009.12.22 |
申请人 |
英特赛尔美国股份有限公司 |
发明人 |
F·希伯特 |
分类号 |
H01L21/784(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H02M3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/784(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种形成半导体器件电压转换器的方法,包括:在单个半导体管芯上形成输出级,输出级包括:包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的高压晶体管;包括槽栅垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件的低压晶体管;和用于形成高压晶体管的栅的一部分和低压晶体管的栅的一部分的单个导体结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |