| 主权项 |
一种半导体装置，具备：半导体基板(SUB)，具有主表面；以及绝缘栅极双极型晶体管，形成于所述主表面，所述绝缘栅极双极型晶体管还包括：第1导电类型的集电极区域(CR)，形成于所述主表面；第1导电类型的基极区域(BR、BCR)，与所述集电极区域(CR)分开地形成于所述主表面；以及第2导电类型的发射极区域(ER)，形成于所述基极区域(BR、BCR)内的所述主表面，所述半导体装置还具备：发射极用导电层(PR2)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者连接，并且在与所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者之间构成发射极连接部；以及集电极用导电层(PR1)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述集电极区域(CR)连接，并且在与所述集电极区域(CR)之间构成集电极连接部，所述集电极用导电层(PR1)通过多个接触部对所述集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)进行连接，针对1个所述集电极用活性区域(CRa)的所述集电极用导电层(PR1)的所述接触部的个数多于针对所述基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的所述发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。 |
