发明名称 |
形成半导体封装及其结构的方法 |
摘要 |
本发明的形成半导体封装及其结构的方法,通过在一个密封剂(32)上形成一个导电层(34,46),形成一个电磁干涉(EMI)和/或电磁辐射屏蔽。导电层包括一导电胶(38,48,52)和一个金属涂漆(36,50)的组合。一个线环(30)耦合导电层和一个引线框架(10)。 |
申请公布号 |
CN1755929B |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200410012085.1 |
申请日期 |
2004.09.28 |
申请人 |
飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
发明人 |
王志杰;刘建勇 |
分类号 |
H01L23/552(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/552(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种形成半导体封装的方法,包括步骤:提供一个含有第一和第二引线框架的引线框架面板,第一和第二引线框架的每一个包括一个铺垫层和多个引线指;将第一和第二半导体单元片分别附着在第一和第二引线框架的铺垫层上;将第一和第二半导体单元片分别电学地耦合到第一和第二引线框架的引线指上;提供一个具有第一端和第二端的导线;将导线的第一端电学地耦合到第一引线框架的引线指,并且将导线的第二端耦合到第二引线框架的引线指;在第一和第二半导体单元片与导线上形成密封剂,其中一部分导线是暴露的;在密封剂和导线上形成一个导电层,其中导电层电学地耦合到导线的暴露部分,并且其中导电层包括一个屏蔽金属和导电胶的组合;以及切割引线框架面板,以形成第一和第二封装器件。 |
地址 |
201200 上海浦东新区A座20层松涛路560号张江大厦 |