| 发明名称 | 制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)；分裂所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。 | ||
| 申请公布号 | CN101809710A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200880108693.9 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | H·阿比尔;R·朗热 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/26(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：-形成包括脆化区(11)的脆化衬底(12)，该脆化区(11)一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物，-在所述脆化衬底(12)的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)，-分裂所述脆化衬底(12)，从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(1B)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(1A)暴露。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||