| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容结构及其制作方法。金属-绝缘体-金属电容结构，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；由第二金属层沉积形成的上电极；上、下两个电极之间的绝缘电介质。金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法在制作MIM时，先蚀刻出电容凹槽及生长一层METAL(如Ti/TiN)作为电容下电极，上电极采用铜制程工艺作出。与传统MIM结构电容器相比，本发明的三维的MIM结构电容器在相同分布面积下，增加了电容器的有效面积，进而增大MIM结构电容器的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101807607A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910006933.0 | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 高新立;孙自军;李雪林 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 一种金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；由第二金属层沉积形成的上电极；上、下两个电极之间的绝缘电介质。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||