| 发明名称 | 一种原位生长Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>光伏薄膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以金属铜靶、锌靶和锡靶分别作为Cu源、Zn源和Sn源，以磁控反应共溅射的方式进行薄膜的原位生长。其中，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，各个靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～100转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。本发明所述的制备方法工艺简单，成本较低，所制备的薄膜具有良好的成分均匀性和高的结晶质量，以及优越的光学、电学性质。 | ||
| 申请公布号 | CN101805890A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910226611.7 | 申请日期 | 2009.12.14 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 赖延清;刘芳洋;李轶;张坤;匡三双;张治安;李劼;刘业翔 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 中南大学专利中心 43200 | 代理人 | 胡燕瑜 |
| 主权项 | 一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于：以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以金属铜靶、锌靶和锡靶分别作为Cu源、Zn源和Sn源，以磁控反应共溅射的方式进行薄膜的原位生长。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市麓山南路1号 | ||