适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器

摘要

本发明提供一种适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器，它包括MaskBuf模块、DataBuf模块及数据写入控制逻辑模块，通过在SRAM存储器的真值和互补值两端分别接一个对地的NMOS管，利用SET和RESET信号分别对这两个NMOS管栅极控制，将数据写入SRAM存储器中，SRAM存储器的翻转阈值处于1/2VDD附近，写入的数据具有稳定和可靠等特性，在EEPROM内部擦写过程中，缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出高压控制信号，数据写入控制逻辑采用传输门(低压管)逻辑实现，电路简单，结构精简，可在最大程度上优化版图面积，实现本发明的目的。

主权项

一种适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器，它包括用于在EEPROM的擦写过程中控制擦高压输出的MaskBuf擦高压控制模块、用于在EEPROM的擦写过程中控制写高压输出的DataBuf写高压控制模块和数据写入控制逻辑模块，其特征在于，在所述MaskBuf擦高压控制模块和DataBuf写高压控制模块中的SRAM存储器的真值和互补值端分别设有对地的NMOS管，通过所述数据写入控制逻辑模块将数据写入MaskBuf擦高压控制模块及DataBuf写高压控制模块对NMOS管进行控制，在EEPROM内部擦写过程中，缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出擦、写高压控制信号。