高散热介面模组;LIGHT EMITTING DIODE LAMP WITH HIGH HEAT-DISSIPATION CAPACITY

摘要

本新型系有关于一种高散热介面模组，其系包括金属基座、高导热电绝缘层及金属电路，该高导热电绝缘层系设在金属基座之吸热端表面上，该高导热电绝缘层上制作该金属电路，供晶片、发光二极体等各式发光二极体直接安装，使该高散热介面模组取代传统之电路基板、散热膏及局部或全部的散热机构的功能，发光二极体产生之废热能够直接透过高散热介面模组传导出去，以解决排热堵塞堆积于封装等区域的散热问题。

主权项

1.一种高散热介面模组，包括：一金属基座，定义该金属基座朝向供发光二极体安装的端面为吸热端，而对应该吸热端的另一端面为发热端，该金属基座为至少一层或一层以上之不含任何绝缘材料的之结构体；一高导热电绝缘层，该高导热电绝缘层系设在金属基座之吸热端表面上；及一金属电路，其被制作于高导热电绝缘层上。 ;2.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，该金属基座为一单层结构体，其材质系选自铜或铝材质中的一种。 ;3.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，该金属基座包括第一结构层及接触高导热电绝缘层的第二结构层，该第一结构层系选自铜或铝材质中的一种，该第二结构层系选自碳化矽、矽、钨、钼或钛材质中的一种。 ;4.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，该高导热电绝缘层之材质系选自钻石、氮化铝、碳化矽、钻石粉末混合高分子材料、类钻碳或奈米钻石中至少一种之材料。 ;5.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，于该模组之金属基座处以卸除式之方式装配在一具有一吸热端及一发热端散热装置的吸热端上。 ;6.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，金属基座的发热端可接合散热装置，如致冷晶片、热管、金属基座或多个鳍片基座，至少选择其一制作。 ;7.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，高导热电绝缘层与金属电路上封装至少一个发光二极体，该发光二极体使用表面封装方式于电绝缘层与金属电路上，或发光二极体被封装于电绝缘层中并与金属基座接触，选择其一方式封装。 ;8.如申请专利范围第1项所述高散热介面模组，其中，该金属基座的发热端表面设有微结构，该微结构之构造系在微凹孔、微凸粒、多孔隙或海棉体孔隙选择其中一种。 ;9.如申请专利范围第8项所述高散热介面模组，其中，该微结构表面以蒸镀、溅镀、电镀、烧结或喷涂中选择其一方式积层制作热辐射层，且该热辐射层之材质系选自钻石、氮化铝、碳化矽、类钻碳或奈米钻石或上述材料与高分子结合物中至少一种材料。;第一图：本新型高散热介面模组第一种结构图；第二图：本新型高散热介面模组第二种结构图；第三图：本新型高散热介面模组第一图A部份放大图；第四图：本新型高散热介面模组第三种结构图；第五图：本新型高散热介面模组第四图B部份放大图；第六图；本新型高散热介面模组与散热单元第一种接合结构图；第七图；本新型高散热介面模组与散热单元第一种接合图；第八图：本新型高散热介面模组第七图C部份放大图；第九图；本新型高散热介面模组与散热单元第二种接合结构图；第十图；本新型高散热介面模组与散热单元第二种接合方式；第十一图；本新型高散热介面模组与散热单元第三种接合结构图；