发明名称 包括具有多位置闩锁之框架及遮盖之电磁干扰(EMI)屏障及热能管理总成与用以提供EMI屏障及热能管理之方法;EMI SHIELDING AND THERMAL MANAGEMENT ASSEMBLIES INCLUDING FRAMES AND COVERS WITH MULTI-POSITION LATCHING AND A METHOD FOR PROVIDING EMI SHIELDING AND THERMAL MANAGEMENT
摘要 由本发明之各方面来说,实施例为可以提供一或多个电子元件之板层级电磁干扰(EMI)屏障及散热的总成,而其他方面系有关于使用EMI屏障及热能管理总成之方法。另一些方面系有关于制造EMI屏障及热能管理总成之方法、及制造其元件之方法。
申请公布号 TWI328999 申请公布日期 2010.08.11
申请号 TW096107832 申请日期 2007.03.07
申请人 雷德科技股份有限公司 LAIRD TECHNOLOGIES, INC. 美国 发明人 英格里斯 吉拉德R;朱赫斯朵夫 艾伦R
分类号 主分类号
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种用以提供一板之一或多个电子元件之EMI屏障及散热的总成,该总成包含:一框架;一遮盖,系可连接该框架而位于一第一闩锁位置与至少一可操作的第二闩锁位置;及至少一热传导挠性材料,其中,当该遮盖连接于该框架上而位于该第一闩锁位置时,该至少一热传导挠性材料与该遮盖或者该一或多个电子元件之至少一者分开一间距;且其中,当该遮盖连接于该框架上而位于该第二闩锁位置时,该间距将实质上消失,且该至少一热传导挠性材料形成一由该一或多个电子元件至该遮盖之热传导热路径。 ;2.如申请专利范围第1项之总成,其中当该遮盖连接至该框架上而位于该第二闩锁位置时产生一夹持力,且该夹持力将该至少一热传导挠性材料压抵于该遮盖与该一或多个电子元件。 ;3.如申请专利范围第1项之总成,其中当该遮盖连接至该框架而位于该第二闩锁位置时,该至少一热传导挠性材料系构成为可在受压之情形下被夹持在该遮盖与该一或多个电子元件之至少一部份之间。 ;4.如申请专利范围第1项之总成,其中:该遮盖与该框架之至少一者包括一第一闩锁构件,且该遮盖与该框架之另一者包括一第一开口,并且该第一开口系构成为可结合地收纳该第一闩锁构件,以将该遮盖连接至该框架上而位于该第一闩锁位置;且该遮盖与该框架之至少一者包括一第二闩锁构件,且该遮盖与该框架之另一者包括一第二开口,并且该第二开口系构成为可结合地收纳该第二闩锁构件,以将该遮盖连接至该框架上而位于该第二闩锁位置。 ;5.如申请专利范围第1项之总成,其中该遮盖包括至少一拾取区域,其系构成为可利用拾取与放置设备以促进该遮盖之处理。 ;6.如申请专利范围第5项之总成,其中该遮盖包括多数附载凸片。 ;7.如申请专利范围第1项之总成,其中该遮盖系可分离地连接至该框架上而位于该等第一与第二闩锁位置。 ;8.如申请专利范围第7项之总成,其中该遮盖包括多数第一壁部、多数相对该等第一壁部向内延伸之第一掣子、多数第二壁部、及多数相对该等第二壁部向内延伸之第二与第三掣子,且其中该框架包括多数用以可结合地收纳该等第一掣子以将该遮盖连接至该框架上而位于该第一闩锁位置之第一开口、及多数用以可结合地收纳各别第二与第三掣子以将该遮盖连接至该框架上而位于该第二闩锁位置之第二与第三开口。 ;9.如申请专利范围第8项之总成,其中该框架包括多数唇部,以在该等第二掣子相对设置于该框架唇部下方时互锁结合该遮盖之该等第二掣子。 ;10.如申请专利范围第9项之总成,其中该遮盖之该等第三掣子包含该遮盖之第二壁部的下方向内弯曲部份,且其中该等第三掣子之上部可操作作为凸轮表面,以向外推动该遮盖之第二壁部远离该框架,藉此以促使该等第二掣子与该框架突出唇部之下方分离,且使该遮盖脱离该框架。 ;11.如申请专利范围第8项之总成,其中该遮盖之该等第二掣子包含多数凸片。 ;12.如申请专利范围第8项之总成,其中该遮盖包含在该等第一壁部上向内延伸并界定出该等第一掣子之凹坑。 ;13.如申请专利范围第8项之总成,其中该遮盖包含在该等第二壁部上向内延伸并界定出该等第二掣子之半凹坑。 ;14.如申请专利范围第1项之总成,更包含:一热能管理结构,系可操作而作为一散热器与一散热装置者;及至少一热传导材料,系设置在该热能管理结构与该遮盖之间,使前述至少一热传导材料在该热能管理结构与该遮盖之间形成一热传导热路径。 ;15.如申请专利范围第1项之总成,其中该至少一热传导挠性材料包含一热介面/相变化材料。 ;16.一种用以对一板之一或多个电子元件提供板层级之EMI屏障及热能管理之方法,该方法包含:将一遮盖连接至一框架上而位于一第一闩锁位置,使得至少一热传导挠性材料与该遮盖或该一或多个电子元件之至少一者分开一间距,该热传导挠性材料系设置在由该遮盖及该框架所形成之一内部空间内,而该一或多个电子元件系设置在由该遮盖及该框架所形成之该内部空间内;及使该遮盖朝该板相对地向下移动而由该第一闩锁位置进入一可操作的第二闩锁位置,且在该第二闩锁位置时,该间距实质上消失,并且该至少一热传导挠性材料形成一由该一或多个电子元件至该遮盖之热传导热路径。 ;17.如申请专利范围第16项之方法,更包含进行一回焊制程,以在该遮盖连接至该框架上而位于该第一闩锁位置时,将该框架安装至该板上。 ;18.如申请专利范围第16项之方法,更包含进行一回焊制程,以在将该遮盖连接至该框架之前,将该框架安装至该板上。 ;19.如申请专利范围第16项之方法,其中使该遮盖由该第一闩锁位置移动至该第二闩锁位置产生一夹持力,而该夹持力将该至少一热传导挠性材料压抵该遮盖与该一或多个电子元件之至少一部份。 ;20.如申请专利范围第16项之方法,其中使该遮盖由该第一闩锁位置移动至该第二闩锁位置将该至少一热传导挠性材料在受压之情形下夹持在该遮盖与该一或多个电子元件之间。 ;21.如申请专利范围第16项之方法,其中将该遮盖连接至该框架上而位于该第一闩锁位置包括利用拾取与放置设备,将该遮盖拾取与放置在该框架上。 ;22.如申请专利范围第16项之方法,更包含,在将该遮盖连接至该框架而位于该第一闩锁位置后,利用拾取与放置设备,将该遮盖与该框架拾取与放置在该板上。 ;23.如申请专利范围第16项之方法,更包含使该遮盖与该框架分离,以接近该一或多个电子元件。 ;24.如申请专利范围第23项之方法,更包含将该分离之遮盖再连接至该框架上。 ;25.如申请专利范围第23项之方法,更包含将一替换遮盖连接至该框架上。 ;26.一种用于一板之一或多个电子元件之EMI屏障及热能管理的总成,该总成包含:一框架;一遮盖,系可连接该框架;及一热介面/相变化材料,其系构形成使得:在将该框架回焊至该板上之前,在该热介面/相变化材料与该一或多个电子元件之间系设有一间距,且该一或多个电子元件系设置在由该遮盖及该框架所形成之一内部空间内;及在焊料回焊且冷却后,该热介面/相变化材料之位移与该盖之热收缩可共同产生一夹持力,该夹持力系用以将该热介面/相变化材料大致压在该遮盖与该一或多个电子元件之间,藉此,该热介面/相变化材料形成一由该一或多个电子元件至该遮盖之热传导热路径。 ;27.如申请专利范围第26项之总成,其中该遮盖与该框架系构形使得该遮盖可连接至该框架而位于:一第一闩锁位置,于该位置该热介面/相变化材料与该一或多个电子元件分开一间距;及一可操作的第二闩锁位置,于该位置该热介面/相变化材料接触该一或多个电子元件之至少一部份且形成一由该一或多个电子元件至该遮盖之热传导热路径。 ;28.如申请专利范围第26项之总成,其中该热介面/相变化材料包含填充有热传导颗粒之聚合物树脂材料。;第1图是实施例之分解立体图,显示包括具有多位置闩锁之框架与遮盖之EMI屏障及热能管理总成,其中该遮盖可以连接至该框架而位于一第一或一第二闩锁位置;第2图是第1图所示之框架与遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架上并位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段);第3图是第2图所示之框架与遮盖之下方立体图,且更显示一设置在该遮盖之内表面上的热介面;第4图是第2与3图所示之框架与遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架且位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段),因此在该电子元件与设置在该遮盖内表面上之热介面之间具有一间距;第5图是第4图所示之框架与遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架且位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段),因此可产生一用以将该热介面大致压在该遮盖与该电子元件之间的压力,以得到低热阻抗;第6图是第5图所示之框架与遮盖的横截面图,且更显示一具有设置于其上之热介面之散热器/散热装置的实施例;第7图是显示在第1至6图中之框架的立体图;第8图是第7图所示之框架的俯视图;第9图是第7图所示之框架的侧视图;第10图是第7图所示之框架的前视图;第11图是第10图中以11表示之部份的平面图;第12图是一胚料之平面图,且该胚料包括一平坦图案轮廓并且可用以制造第7至11图中所示之实施例的框架;第13图是第1至6图所示之遮盖的立体图;第14图是第13图所示之遮盖的俯视图;第15图是第13图所示之遮盖的侧视图;第16图是第13图所示之遮盖的前视图;第17图是沿第13图中之线17-17所截取之遮盖部份横截面图,且显示用以将该遮盖闩锁至第7至11图中所示之框架而位在该第一闩锁位置的其中一遮盖卡掣;第18图是沿第13图中之线18-18所截取之遮盖部份横截面图,且显示用以将该遮盖闩锁至第7至11图中所示之框架而位在该第二闩锁位置的其中一遮盖卡掣;第19图是一胚料之平面图,且该胚料包括一平坦图案轮廓并且可用以制造第13至18图中所示之实施例的框架;第20图是包括具有多位置闩锁之框架及遮盖之EMI屏障及热能管理总成另一实施例的分解立体图;第21图是第20图中所示之框架及遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段);第22图是第21图中所示之框架及遮盖之下立体图,且更显示一设置在该遮盖内表面上之热介面;第23图是第21与22图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段),藉此在该电子元件与设置于该遮盖内表面上之热介面之间形成一间距;第24图是第23图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段),藉此产生一将该热介面大致压在该遮盖与该电子元件之间的压力,以得到低热阻抗;第25图是第24图所示之框架与遮盖的横截面图,且更显示一具有设置于其上之热介面之散热器/散热装置的实施例;第26图是一EMI屏障及热能管理总成另一实施例之框架及遮盖的分解立体图,且依据实施例,其中该框架及遮盖具有多位置闩锁,使该遮盖可以连接至该框架上而位于一第一或第二闩锁位置;第27图是第26图中所示之框架及遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段);第28图是第26与27图中所示之框架及遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架而位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段);第29图是第28图中所示之框架及遮盖之下立体图,且更显示一设置在该遮盖内表面上之热介面;第30图是第26至29图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段),藉此在该电子元件与设置于该遮盖内表面上之热介面之间形成一间距;第31图是第30图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段),藉此产生一将该热介面大致压在该遮盖与该电子元件之间的压力,以得到低热阻抗;第32图是一EMI屏障及热能管理总成另一实施例之框架及遮盖的分解立体图,且依据实施例,其中该框架及遮盖具有多位置闩锁,使该遮盖可以连接至该框架上而位于一第一或第二闩锁位置;第33图是第32图中所示之框架及遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段);第34图是第32与33图中所示之框架及遮盖之立体图,且该遮盖连接于该框架而位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段);第35图是第34图中所示之框架及遮盖之下立体图,且更显示一设置在该遮盖内表面上之热介面;第36图是第32至35图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第一闩锁位置(例如,在回焊前之第一阶段),藉此在该电子元件与设置于该遮盖内表面上之热介面之间形成一间距;第37图是第36图中所示之框架及遮盖的横截面图,显示该遮盖连接于该框架而位于一第二闩锁位置(例如,在回焊后之第二阶段),藉此产生一将该热介面大致压在该遮盖与该电子元件之间的压力,以得到低热阻抗;第38图是一可提供板层级EMI屏障及热能管理之低轮廓总成,且其中该总成包括一框架、一非导电性热介面、及一金属化或导电热介面材料,而在实施例中,该金属化或导电热介面材料作为该框架之遮盖;第39图是第38图所示之总成且前方部份已切除的视图,且显示该总成设置在一板安装式电子元件上,以提供屏障与散热;第40图是一放置在一印刷电路板上之框架的俯视图,且依据实施例,该框架包括抓握区域;第41图是一EMI屏障及热能管理总成之分解立体图,且依据实施例,其中该总成包括一框架、一遮盖、及一用以产生低热阻抗用之力的热介面/相变化材料,且其中该框架与遮盖可包括多位置闩锁,使该遮盖可以连接至该框架上而位于一第一或一第二闩锁位置;第42图是第41图所示之总成且前方部份已切除的视图,且显示该总成在一回焊制程之前设置在一板安装式电子元件上;及第43图是第41与42图中所示之总成在进行回焊后的视图,且该热介面/相变化材料系构成为可产生一低热阻抗用之力。
地址 LAIRD TECHNOLOGIES, INC. 美国