半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

提供制造半导体装置的方法，包含转移步骤，若使包含半导体元件或积体电路的元件形成层脱离基底并接到另一基底，则可控制基底和元件形成层的黏性。良好黏性材料制成的黏着剂形成于半导体元件或包括多个半导体元件的积体电路与基底间，因此制造半导体元件中可防止半导体元件从基底剥落，再者，形成半导体元件后除去黏着剂，较易使半导体元件脱离基底。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成半导体元件；除去黏着剂。 ;2.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含半导体元件的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂。 ;3.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含半导体元件的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂；由黏着材料将第二基底接到元件形成层；由物理手段使第二基底和元件形成层脱离第一基底。 ;4.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含半导体元件的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂；由第一黏着材料将第二基底接到元件形成层；由物理手段使第二基底和元件形成层脱离第一基底；由第二黏着材料将第二基底和元件形成层接到第三基底；从元件形成层除去第二基底。 ;5.如申请专利范围第1项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;6.如申请专利范围第1项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;7.如申请专利范围第1项之制造半导体装置的方法，其中形成半导体元件不重叠黏着剂。 ;8.如申请专利范围第1项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;9.如申请专利范围第1项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;10.如申请专利范围第2项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;11.如申请专利范围第2项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;12.如申请专利范围第2项之制造半导体装置的方法，其中形成半导体元件不重叠黏着剂。 ;13.如申请专利范围第2项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;14.如申请专利范围第2项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;15.如申请专利范围第3项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;16.如申请专利范围第3项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;17.如申请专利范围第3项之制造半导体装置的方法，其中形成半导体元件不重叠黏着剂。 ;18.如申请专利范围第3项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;19.如申请专利范围第3项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;20.如申请专利范围第4项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;21.如申请专利范围第4项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;22.如申请专利范围第4项之制造半导体装置的方法，其中形成半导体元件不重叠黏着剂。 ;23.如申请专利范围第4项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;24.如申请专利范围第4项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;25.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上制造包含多个半导体元件的积体电路；除去黏着剂。 ;26.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含多个半导体元件之包括积体电路的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂。 ;27.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含多个半导体元件之包括积体电路的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂；由第一黏着材料将第二基底接到元件形成层；由物理手段使第二基底和元件形成层脱离第一基底。 ;28.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在第一基底上形成金属层；在一部分金属层上形成黏着剂；形成氧化物层以覆盖金属层和黏着剂；在氧化物层上形成包含多个半导体元件之包括积体电路的元件形成层；蚀刻一部分元件形成层来除去黏着剂；由第一黏着材料将第二基底接到元件形成层；由物理手段使第二基底和元件形成层脱离第一基底；由第二黏着材料将第二基底和元件形成层接到第三基底；从元件形成层除去第二基底。 ;29.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;30.如申请专利范围第26项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;31.如申请专利范围第27项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;32.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法，其中金属层由钨、钼、鎝、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金的任一种形成。 ;33.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;34.如申请专利范围第26项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;35.如申请专利范围第27项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;36.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法，其中元件形成层的形成步骤包含400℃以上的热处理步骤，最好600℃以上。 ;37.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法，其中形成积体电路不重叠黏着剂。 ;38.如申请专利范围第26项之制造半导体装置的方法，其中形成积体电路不重叠黏着剂。 ;39.如申请专利范围第27项之制造半导体装置的方法，其中形成积体电路不重叠黏着剂。 ;40.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法，其中形成积体电路不重叠黏着剂。 ;41.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;42.如申请专利范围第26项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;43.如申请专利范围第27项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;44.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法，其中要与包含在金属层之金属化学反应的材料用于黏着剂。 ;45.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;46.如申请专利范围第26项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;47.如申请专利范围第27项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;48.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法，其中矽、锗、碳、硼、镁、铝、钛、钽、铁、钴、镍、锰的任一种用于黏着剂。 ;49.如申请专利范围第1至4及25至28项中任一项之制造半导体装置的方法，其中，该黏着剂与该氧化物层的一部份相接触。 ;50.如申请专利范围第1至4及25至28项中任一项之制造半导体装置的方法，其中，该元件形成层的部份在该黏着剂上。;图1A至1D显示本发明的结构；图2A至2E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图3A至3D显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图4A至4E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图5A和5B显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图6A至6E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图7A和7B显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图8A至8D显示黏着剂形状；图9A至9D显示制造TFT的方法；图10A至10D显示制造TFT的方法；图11A至11C显示形成于像素部的发光元件结构；图12显示形成于像素部的液晶元件结构；图13A至13G显示依据本发明所形成的电子产品；图14A至14D显示本发明的结构；图15A至15E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图16A至16D显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图17A至17E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图18A和18B显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图19A至19E显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图20A和20B显示制造半导体装置的方法，包含转移步骤；图21A至21D显示黏着剂形状；图22A至22D显示制造TFT的方法；图23A至23D显示制造TFT的方法；图24显示CPU；图25显示并入依据本发明所制造之积体电路的模组。