门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件

摘要

门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，属于微电子技术领域。包括N-衬底层(1)、P+扩散区(2)、N+扩散区(4)、台面凹槽玻璃钝化层(5)、门极(G)、阴极(T1)和阳极(T2)，门极(G)和阴极(T1)均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极(G)和阴极(T1)一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层(7)。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。

主权项

门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，包括N-衬底层(1)、P+扩散区(2)、N+扩散区(4)、台面凹槽玻璃钝化层(5)、门极(G)、阴极(T1)和阳极(T2)，门极(G)和阴极(T1)均位于可控硅器件同一侧的表面上，其特征在于；所述门极(G)和阴极(T1)一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层(7)。