具有均匀无序晶体学取向的细晶无带的难熔金属溅射靶、薄膜制备方法及基于薄膜的器件和由器件制造的产品

摘要

本发明涉及溅射靶，它具有小于44μm的细而均匀的等轴晶结构，没有由电子背散射衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向并且在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带。本发明涉及溅射靶，其具有两面凸或平的晶体结构，没有由电子背散衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向，在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带，并且靶具有分层结构，其包括期望的溅射材料层和在背衬板的界面处的至少一个附加层，附加层的热膨胀系数(CTE)值介于背衬板的CTE值和溅射材料层的CTE值之间。本发明还涉及薄膜及其使用溅射靶的用途及其它应用，如涂层、太阳能器件、半导体器件等。本发明进一步涉及溅射靶的修复或翻新方法。

主权项

一种溅射靶，包括小于44μm的细而均匀的等轴晶结构，不具有通过电子背散射衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向，在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带。