一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法的特征是：利用在硅基片上生长P-N结时，在P-N结上自然形成的磷硅玻璃层，采用丝网印刷的方法，保留电极区下的磷硅玻璃层，由于磷硅玻璃层内含有较高的磷原子，对电极区下的磷硅玻璃层进行再扩散，使磷硅玻璃层内的磷原子扩散进硅片体内，从而在栅线电极处形成一个横向的n+/n结和一个纵向的n+/p结，构成一个选择性发射极晶体硅太阳能电池。该方法的优点在于：与晶体硅太阳能电池工业化生产工艺相兼容，不需要添加额外的设备，成本低廉，重复性好，适合工业批量生产。

主权项

一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于具体制备步骤如下：A.首先对晶体硅基片进行常规的清洗和制绒工艺，而后放入扩散炉中进行常规磷原子扩散，在晶体硅基片上形成P-N结层，使N型层表面磷原子浓度达到1021cm-3，此时在硅基片的N型层表面自然形成一层含有磷原子的磷硅玻璃层；B.然后采用丝网印刷法在硅基片的磷硅玻璃层上印刷一层光刻胶图案，所用的光刻胶网版图形与印刷银栅线电极的网版图形相似；区别在于，光刻胶网版的主栅宽度要大于银栅线电极网版主栅宽度4-6mm，细栅线宽度要大于0.18-0.22mm，细栅线间距要小于0.2-0.25mm；再将印刷好光刻胶图案的晶体硅基片放入热处理炉中，在200-300℃下进行低温热处理，使光刻胶固化；C.使用氢氟酸去除硅基片表面没有光刻胶保护的磷硅玻璃层；D.利用硫酸溶液去除光刻胶，使得硅基片的N型层表面露出按光刻胶网版生成的磷硅玻璃图形；E.对上述的硅基片进行高温退火处理，退火温度为800-1000℃，使硅基片表面的磷硅玻璃层中磷原子扩散进硅基片体内，从而在栅线电极处形成一个横向的n+/n结和一个纵向的n+/p结；F.使用常规的等离子体化学气相沉积法生长氮化硅薄膜和丝网印刷法制备金属银栅线电极(1)和背面的铝背场(2)，最后进行高温烧结，形成选择性发射极晶体硅太阳能电池。