发明名称 |
以离子植入致能的晶圆键合 |
摘要 |
所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化,以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。 |
申请公布号 |
CN101802992A |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200880107434.4 |
申请日期 |
2008.09.18 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
由里·艾洛克海;保罗·沙利文;史帝文·R·沃特;彼得·纽南 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种将至少两个基底原位键合在一起的方法,包括:将所述基底放置在离子靶室中;将至少两个所述基底中的第一基底的至少一个表面暴露在离子束中,以减少至少一个所述表面上的表面物种,准备与至少两个所述基底中的第二基底键合;在所述离子靶室内在想要的温度下对准所述第一基底与所述第二基底;以及将所述第一基底的所述暴露表面与所述第二基底的一表面并在一起且使之相互接触,以形成键合的基底。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州 |